潔淨空間的溫濕度主要是根據工藝要求來确定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒适度感。随着空氣潔淨度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。

具體工藝對溫度的要求以後還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細，所以對溫度波動範圍的要求越來越小。例如在大規模集成電路生産的光刻曝光工藝中，作為掩膜闆材料的玻璃與矽片的熱膨脹系數的差要求越來越小。

直徑100 um的矽片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以後，對産品将有污染，特别是怕鈉的半導體車間，這種車間溫度不宜超過25度，濕度過高産生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。

相對濕度在50%時易生鏽。此外，濕度太高時将通過空氣中的水分子把矽片表面粘着的灰塵化學吸附在表面難以清除。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發生擊穿。對于矽片生産 *佳濕度範圍為35—45%。